MOSFET Toshiba canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
TK
Type d'emballage
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
155 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
165 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.02mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.94mm
Charge de Grille type @ Vgs
48 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.95mm
Tension directe de la diode
1.7V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal-N, série TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 4,38
€ 2,192 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
2
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2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 2,192 | € 4,38 |
| 10 - 38 | € 1,929 | € 3,86 |
| 40 - 98 | € 1,689 | € 3,38 |
| 100 - 198 | € 1,578 | € 3,16 |
| 200+ | € 1,49 | € 2,98 |
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N
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
155 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
165 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.02mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.94mm
Charge de Grille type @ Vgs
48 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
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