Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
TK
Type de boîtier
A-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
155 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
165 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.94mm
Charge de Grille type @ Vgs
48 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.02mm
Matériau du transistor
Si
Taille
20.95mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal-N, série TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 84,04
€ 4,202 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
20
€ 84,04
€ 4,202 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
20
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Quantité | Prix unitaire | Par Sac |
---|---|---|
20 - 38 | € 4,202 | € 8,40 |
40 - 72 | € 3,693 | € 7,39 |
74 - 148 | € 3,491 | € 6,98 |
150+ | € 3,399 | € 6,80 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
TK
Type de boîtier
A-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
155 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
165 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.94mm
Charge de Grille type @ Vgs
48 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.02mm
Matériau du transistor
Si
Taille
20.95mm
Pays d'origine
China
Détails du produit