MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 30 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-220SIS
Série
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 8,23
€ 0,823 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,823 | € 8,23 |
| 100 - 190 | € 0,68 | € 6,80 |
| 200 - 360 | € 0,601 | € 6,01 |
| 370 - 740 | € 0,583 | € 5,83 |
| 750+ | € 0,572 | € 5,72 |
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N
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Série
TK
Type de montage
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
25 W
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Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
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