MOSFET Toshiba canal N, A-220 43 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
43,3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-220
Série
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
53 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Longueur
10.16mm
Hauteur
15.1mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 28,53
€ 0,571 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,571 | € 28,53 |
| 250 - 450 | € 0,525 | € 26,25 |
| 500 - 1200 | € 0,493 | € 24,66 |
| 1250 - 2450 | € 0,475 | € 23,75 |
| 2500+ | € 0,464 | € 23,18 |
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N
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43,3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
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Série
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
53 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
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Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Longueur
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Hauteur
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