MOSFET Toshiba canal N, A-220 43 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
43,3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-220
Série
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
53 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.16mm
Hauteur
15.1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
43,3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-220
Série
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
53 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.16mm
Hauteur
15.1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.