MOSFET Toshiba canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
31 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de conditionnement
TO-220
Série
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
88 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
86 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Hauteur
15.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 175,25
€ 3,505 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 175,25
€ 3,505 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 3,505 | € 175,25 |
| 250 - 450 | € 3,155 | € 157,75 |
| 500+ | € 2,874 | € 143,71 |
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Série
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
88 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
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1
Largeur
4.45mm
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