MOSFET Toshiba canal N, A-220 30,8 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30,8 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
DTMOSIV
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
88 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
65 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.7V
Hauteur
15.1mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 6,96
€ 3,478 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
2
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,478 | € 6,96 |
| 10 - 18 | € 2,546 | € 5,09 |
| 20 - 48 | € 2,483 | € 4,97 |
| 50 - 98 | € 2,404 | € 4,81 |
| 100+ | € 2,364 | € 4,73 |
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N
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30,8 A
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Série
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Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
88 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
65 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
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