MOSFET Toshiba canal N, A-220 60 A 120 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
120 V
Série
TK
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
13,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
98 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
34 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
15.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 40,12
€ 0,802 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 40,12
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,802 | € 40,12 |
| 250 - 950 | € 0,686 | € 34,32 |
| 1000 - 2450 | € 0,668 | € 33,41 |
| 2500+ | € 0,652 | € 32,62 |
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N
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Série
TK
Type de conditionnement
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
13,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
98 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.45mm
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
34 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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