Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
54,9 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Série
TK
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
12,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
72 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
15.1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 5,82
€ 1,164 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 5,82
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N
Courant continu de Drain maximum
54,9 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Série
TK
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
12,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
72 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
15.1mm
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