MOSFET Toshiba canal N, A-220 55 A 80 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
54,9 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Séries
TK
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
12,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
72 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.45mm
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
15.1mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 33,54
€ 0,671 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Largeur
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Longueur
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Matériau du transistor
Si
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150 °C
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