MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 39 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 896-2363Marque: ToshibaN° de pièce Mfr: TK39J60W5,S1VQ(O
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

39 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Série

TK

Type d'emballage

TO-3PN

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

74 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.7V

Dissipation de puissance maximum

270 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

4.5mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.5mm

Charge de Grille type @ Vgs

135 nF @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

20mm

Pays d'origine

Japan

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 3,60

€ 3,60 Each (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 39 A 600 V, 3 broches

1

Disponible en multiples de 1
1€ 3,60
2€ 7,19
3€ 10,79
4€ 14,38
5€ 17,98
6€ 21,57
7€ 25,17
8€ 28,76
9€ 32,36
10€ 23,35
11€ 25,69
12€ 28,02
13€ 30,36
14€ 32,69
15€ 35,03

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QuantitéPrix unitaire
1 - 9€ 3,60
10 - 19€ 2,34
20 - 39€ 2,27
40 - 79€ 2,22
80+€ 2,15

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TO-3PN

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

74 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.7V

Dissipation de puissance maximum

270 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

4.5mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

15.5mm

Charge de Grille type @ Vgs

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