Toshiba TK N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V, 3-Pin DP TK50P04M1(T6RSS-Q)
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
TK
Type de boîtier
DP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Dissipation de puissance maximum
60 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 5 V, 38 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 2,65
€ 0,529 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
€ 2,65
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,529 | € 2,65 |
| 50 - 95 | € 0,326 | € 1,63 |
| 100+ | € 0,317 | € 1,58 |
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N
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Série
TK
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.3V
Dissipation de puissance maximum
60 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 5 V, 38 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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2.3mm
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