MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
57,7 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
TK
Type de conditionnement
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 3,59
€ 0,718 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
€ 3,59
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,718 | € 3,59 |
| 50 - 95 | € 0,593 | € 2,97 |
| 100 - 245 | € 0,539 | € 2,69 |
| 250 - 495 | € 0,527 | € 2,64 |
| 500+ | € 0,518 | € 2,59 |
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5.4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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