Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
72 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Séries
TK
Type d'emballage
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
81 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Taille
15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, séries TK6 et TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 5,61
€ 1,122 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
€ 5,61
€ 1,122 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,122 | € 5,61 |
25 - 95 | € 0,986 | € 4,93 |
100 - 245 | € 0,861 | € 4,31 |
250 - 495 | € 0,821 | € 4,11 |
500+ | € 0,798 | € 3,99 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
72 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Séries
TK
Type d'emballage
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
81 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Taille
15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit