MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 72 A 120 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
72 A
Tension Drain Source maximum
120 V
Type de conditionnement
TO-220SIS
Série
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.5mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
130 nC V @ 10
Hauteur
15mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, séries TK6 et TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 92,91
€ 1,858 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 92,91
€ 1,858 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 1,858 | € 92,91 |
| 250 - 450 | € 1,725 | € 86,26 |
| 500+ | € 1,682 | € 84,10 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
72 A
Tension Drain Source maximum
120 V
Type de conditionnement
TO-220SIS
Série
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.5mm
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
130 nC V @ 10
Hauteur
15mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, séries TK6 et TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.