MOSFET Toshiba canal N, A-220 72 A 120 V, 3 broches

N° de stock RS: 827-6277Marque: ToshibaN° de pièce Mfr: TK72E12N1,S1X(S
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

72 A

Tension Drain Source maximum

120 V

Séries

TK

Type de conditionnement

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

4,4 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Dissipation de puissance maximum

225 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

10.16mm

Charge de Grille type @ Vgs

130 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

4.45mm

Taille

15.1mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N, séries TK6 et TK7, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 15,16

€ 3,032 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Toshiba canal N, A-220 72 A 120 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 15,16
10€ 30,32
15€ 45,48
20€ 60,64
25€ 66,80
30€ 80,16
35€ 93,52
40€ 106,88
45€ 120,23
50€ 116,65
55€ 128,31
60€ 139,98
65€ 151,64
70€ 163,30
75€ 174,97

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50€ 116,65
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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 3,032€ 15,16
25 - 45€ 2,672€ 13,36
50 - 120€ 2,333€ 11,66
125 - 245€ 2,181€ 10,90
250+€ 2,059€ 10,30

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Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

72 A

Tension Drain Source maximum

120 V

Séries

TK

Type de conditionnement

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

4,4 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Dissipation de puissance maximum

225 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

10.16mm

Charge de Grille type @ Vgs

130 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

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