Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
72 A
Tension Drain Source maximum
120 V
Série
TK
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
225 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
130 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.45mm
Hauteur
15.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, séries TK6 et TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 7,10
€ 1,421 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
€ 7,10
€ 1,421 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,421 | € 7,10 |
| 25 - 45 | € 1,25 | € 6,25 |
| 50 - 95 | € 1,093 | € 5,47 |
| 100 - 245 | € 1,021 | € 5,10 |
| 250+ | € 0,966 | € 4,83 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
72 A
Tension Drain Source maximum
120 V
Série
TK
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
225 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
130 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.45mm
Hauteur
15.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit


