MOSFET Toshiba canal N, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Type d'emballage
TO-3PN
Séries
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
15.5mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.5mm
Taille
20mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, séries TK8 et TK9, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 75,94
€ 3,038 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
€ 75,94
€ 3,038 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Type d'emballage
TO-3PN
Séries
TK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
15.5mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.5mm
Taille
20mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, séries TK8 et TK9, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.