MOSFET Toshiba canal P, SOP 10 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
TPC
Type d'emballage
FM, SOP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
17 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1,9 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +20 V
Largeur
3.9mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
64 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.52mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, série TPC, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 3,03
€ 0,605 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,605 | € 3,03 |
| 50 - 495 | € 0,573 | € 2,86 |
| 500 - 2495 | € 0,544 | € 2,72 |
| 2500 - 4995 | € 0,486 | € 2,43 |
| 5000+ | € 0,455 | € 2,28 |
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P
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10 A
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TPC
Type d'emballage
FM, SOP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
17 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1,9 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +20 V
Largeur
3.9mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
64 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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