Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
340 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
FM, SOP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.4V
Dissipation de puissance maximum
170 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
103 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.95mm
€ 9,69
€ 1,938 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
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ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
340 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
FM, SOP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.4V
Dissipation de puissance maximum
170 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
103 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.95mm