MOSFET Toshiba canal N, TSON 21 A 100 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
21,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type d'emballage
TSON
Série
U-MOSVIII-H
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
27 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.1mm
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC V @ 10
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.85mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
20
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N
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Série
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CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.1mm
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
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