MOSFET Vishay Siliconix canal N, TO-220AB 9,2 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9.2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.52mm
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Hauteur
15.85mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.8V
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
50
Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9.2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.52mm
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Hauteur
15.85mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.8V
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.