MOSFET Vishay Siliconix canal N, TO-220AB 5,5 A 400 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.5 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
74 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.52mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Hauteur
15.85mm
Pays d'origine
China
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
50
Prix sur demande
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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74 W
Configuration du transistor
Single
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±30 V
Matériau du transistor
Si
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1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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