MOSFET Vishay Siliconix canal P, SOT-23 3,6 A 40 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.6 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Séries
TrenchFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
12,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Longueur
3.04mm
Tension directe de la diode
1.2V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.02mm
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 412,55
€ 0,138 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 412,55
€ 0,138 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.6 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Séries
TrenchFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
12,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Longueur
3.04mm
Tension directe de la diode
1.2V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.02mm
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.