MOSFET Vishay Siliconix canal P, PowerPAK SO-8 28 A 80 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
28 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Type de boîtier
PowerPAK SO-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
29 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
105 nC @ 10 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Série
TrenchFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1.07mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
10
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Mode de canal
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1V
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Single
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±20 V
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1
Température d'utilisation maximum
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Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
105 nC @ 10 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Série
TrenchFET
Température de fonctionnement minimum
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