MOSFET Vishay Siliconix canal N, SC-70-6L 12 A 60 V, 6 broches

N° de stock RS: 178-3901Marque: Vishay SiliconixN° de pièce Mfr: SiA106DJ-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay Siliconix

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

12 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

SC-70-6L

Série

TrenchFET

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

20 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

19 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

8,9 nC @ 10 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

1.35mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

1mm

Pays d'origine

China

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€ 5,38

€ 0,538 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay Siliconix canal N, SC-70-6L 12 A 60 V, 6 broches
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Standard

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Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

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10

Disponible en multiples de 10
10€ 5,38
20€ 10,75
30€ 16,13
40€ 21,50
50€ 24,26
60€ 29,12
70€ 33,97
80€ 38,82
90€ 43,68
100€ 45,69
110€ 50,26
120€ 54,82
130€ 59,39
140€ 63,96
150€ 68,53

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 40€ 0,538€ 5,38
50 - 90€ 0,485€ 4,85
100 - 490€ 0,457€ 4,57
500 - 990€ 0,43€ 4,30
1000+€ 0,377€ 3,77

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N

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12 A

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-60 V

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Série

TrenchFET

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6

Résistance Drain Source maximum

20 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

19 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

8,9 nC @ 10 V

Nombre d'éléments par circuit

1

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