MOSFET Vishay Siliconix canal N, SC-70-6L 12 A 60 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
TrenchFET
Type de boîtier
SC-70-6L
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
19 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,9 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.2mm
Tension directe de la diode
1.2V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
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€ 821,69
€ 0,274 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
19 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,9 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
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