MOSFET Vishay Siliconix canal N, SC-70-6L 12 A 60 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
TrenchFET
Type de boîtier
SC-70-6L
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
19 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
2.2mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,9 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Tension directe de la diode
1.2V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
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€ 925,73
€ 0,309 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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6
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
2.2mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,9 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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