MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK SO-8 60 A 60 V, 8 broches

N° de stock RS: 178-3895Marque: Vishay SiliconixN° de pièce Mfr: SiR188DP-T1-RE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay Siliconix

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

60 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

PowerPAK SO-8

Série

TrenchFET

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

4 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2V

Tension de seuil minimale de la grille

3.6V

Dissipation de puissance maximum

65,7 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.99mm

Charge de Grille type @ Vgs

29 nC@ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

5mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.1V

Taille

1.07mm

Pays d'origine

China

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€ 9,10

€ 0,91 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK SO-8 60 A 60 V, 8 broches
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Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

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10

Disponible en multiples de 10
10€ 9,10
20€ 18,21
30€ 27,31
40€ 36,41
50€ 45,52
60€ 54,62
70€ 63,72
80€ 72,83
90€ 81,93
100€ 91,03
110€ 100,14
120€ 109,24
130€ 118,34
140€ 127,45
150€ 136,55

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N

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Série

TrenchFET

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8

Résistance Drain Source maximum

4 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2V

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3.6V

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65,7 W

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Single

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Si

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