MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK 1212-8 14,2 A 100 V, 8 broches

N° de stock RS: 178-3962Marque: Vishay SiliconixN° de pièce Mfr: SiS110DN-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay Siliconix

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

14.2 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Série

TrenchFET

Type de boîtier

PowerPAK 1212-8

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

70 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2V

Tension de seuil minimale de la grille

4V

Dissipation de puissance maximum

24 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

3.15mm

Charge de Grille type @ Vgs

8,5 nC @ 10 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

3.15mm

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.07mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Pays d'origine

China

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€ 10,11

€ 0,405 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)

MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK 1212-8 14,2 A 100 V, 8 broches
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Standard

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Production -

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25

Disponible en multiples de 25
25€ 10,11
50€ 20,23
75€ 30,34
100€ 40,46
125€ 50,57
150€ 60,69
175€ 70,80
200€ 80,92
225€ 91,03
250€ 101,15
275€ 111,26
300€ 121,38
325€ 131,49
350€ 141,61
375€ 151,72

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N

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70 mΩ

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Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2V

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4V

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24 W

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±20 V

Longueur

3.15mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

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Matériau du transistor

Si

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