MOSFET Vishay Siliconix canal N, 1 212 80 A 25 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Séries
TrenchFET
Type de conditionnement
1212
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
65,7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +16 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.15mm
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
55 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Taille
1.07mm
Pays d'origine
China
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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N
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Tension Drain Source maximum
25 V
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
2.2V
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Configuration du transistor
Single
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Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.15mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
55 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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