MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAIR 3 x 3 30 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
TrenchFET
Type de boîtier
PowerPAIR 3 x 3
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
10 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
16.7 W
Tension Grille Source maximum
-16 V, +20 V
Largeur
3mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
12,1 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Taille
0.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
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€ 1 056,94
€ 0,352 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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TrenchFET
Type de boîtier
PowerPAIR 3 x 3
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CMS
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8
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
16.7 W
Tension Grille Source maximum
-16 V, +20 V
Largeur
3mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
12,1 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
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