MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAIR 3 x 3 30 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
PowerPAIR 3 x 3
Série
TrenchFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
16.7 W
Tension Grille Source maximum
-12 V, +16 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
3mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,5 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
0.75mm
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€ 1 043,31
€ 0,348 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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PowerPAIR 3 x 3
Série
TrenchFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
16.7 W
Tension Grille Source maximum
-12 V, +16 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
3mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,5 nC @ 10 V
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