MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAIR 6 x 5F 60 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
PowerPAIR 6 x 5FS
Série
TrenchFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Tension de seuil minimale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
83 W
Tension Grille Source maximum
-16 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
6mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
100 nC (canal 2) @ 10 V, 24,5 nC (canal 1) @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
0.7mm
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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Type de conditionnement
PowerPAIR 6 x 5FS
Série
TrenchFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Tension de seuil minimale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
83 W
Tension Grille Source maximum
-16 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
6mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
100 nC (canal 2) @ 10 V, 24,5 nC (canal 1) @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
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