MOSFET Vishay Siliconix canal N, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
TrenchFET
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.46V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
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€ 637,58
€ 0,213 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.46V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
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3000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
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