Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2.68 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Série
TrenchFET
Type de boîtier
SC-70-6L
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
13.6 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±8 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
€ 538,70
€ 0,18 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 538,70
€ 0,18 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2.68 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Série
TrenchFET
Type de boîtier
SC-70-6L
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
13.6 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±8 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China


