MOSFET Vishay Siliconix canal P, DPAK (TO-252) 100 A 30 V, 3 broches

N° de stock RS: 178-3950Marque: Vishay SiliconixN° de pièce Mfr: SQD40031EL_GE3
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay Siliconix

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

100 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Série

TrenchFET

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

136 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

2.38mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

186 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

6.22mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.5V

Pays d'origine

Taiwan, Province Of China

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 11,59

€ 1,159 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay Siliconix canal P, DPAK (TO-252) 100 A 30 V, 3 broches
Sélectionner le type d'emballage

Standard

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 11,59
20€ 23,18
30€ 34,78
40€ 46,37
50€ 57,96
60€ 69,55
70€ 81,15
80€ 92,74
90€ 104,33
100€ 98,76
110€ 108,64
120€ 118,51
130€ 128,39
140€ 138,27
150€ 148,14

€ 11,59

€ 1,159 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay Siliconix canal P, DPAK (TO-252) 100 A 30 V, 3 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

Standard

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 11,59
20€ 23,18
30€ 34,78
40€ 46,37
50€ 57,96
60€ 69,55
70€ 81,15
80€ 92,74
90€ 104,33
100€ 98,76
110€ 108,64
120€ 118,51
130€ 128,39
140€ 138,27
150€ 148,14

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 1,159€ 11,59
100 - 490€ 0,988€ 9,88
500 - 990€ 0,869€ 8,69
1000+€ 0,753€ 7,54

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay Siliconix

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

100 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Série

TrenchFET

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

136 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

2.38mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

186 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

6.22mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.5V

Pays d'origine

Taiwan, Province Of China

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus