Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
TrenchFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
107 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
2.38mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
185 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Taille
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
€ 11,59
€ 1,159 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 11,59
€ 1,159 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,159 | € 11,59 |
| 100 - 490 | € 0,985 | € 9,85 |
| 500 - 990 | € 0,871 | € 8,71 |
| 1000+ | € 0,755 | € 7,55 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
TrenchFET
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
107 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
2.38mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
185 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Taille
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China


