MOSFET Vishay Siliconix canal P, PowerPAK SO-8L 30 A 40 V, 4 broches

N° de stock RS: 178-3717Marque: Vishay SiliconixN° de pièce Mfr: SQJ415EP-T1_GE3
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

30 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Série

TrenchFET

Type de boîtier

PowerPAK SO-8L

Type de fixation

CMS

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum

20 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

45 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.99mm

Charge de Grille type @ Vgs

63 nC @ 10 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Standard automobile

AEC-Q101

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

1.07mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

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€ 1 151,13

€ 0,384 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)

MOSFET Vishay Siliconix canal P, PowerPAK SO-8L 30 A 40 V, 4 broches

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CMS

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4

Résistance Drain Source maximum

20 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1.5V

Dissipation de puissance maximum

45 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

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+175 °C

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1

Longueur

5.99mm

Charge de Grille type @ Vgs

63 nC @ 10 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

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