Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
TrenchFET
Type de boîtier
PowerPAK SO-8L
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Standard automobile
AEC-Q101
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
€ 1 151,13
€ 0,384 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 1 151,13
€ 0,384 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
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Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
TrenchFET
Type de boîtier
PowerPAK SO-8L
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Standard automobile
AEC-Q101
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C