MOSFET Vishay Siliconix canal P, PowerPAK SO-8L 9,4 A 200 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
9.4 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Série
TrenchFET
Type de conditionnement
PowerPAK SO-8L
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
760 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
68 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
55 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
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€ 1 985,22
€ 0,662 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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9.4 A
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Série
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CMS
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4
Résistance Drain Source maximum
760 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
68 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
55 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
1.07mm
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