MOSFET Vishay Siliconix canal P, PowerPAK SO-8L 9,4 A 200 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
9.4 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Série
TrenchFET
Type de boîtier
PowerPAK SO-8L
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
760 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
68 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
55 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Largeur
5mm
Standard automobile
AEC-Q101
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 1 721,80
€ 0,574 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 1 721,80
€ 0,574 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
9.4 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Série
TrenchFET
Type de boîtier
PowerPAK SO-8L
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
760 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
68 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
55 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Largeur
5mm
Standard automobile
AEC-Q101
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.