MOSFET Vishay Siliconix canal P, PowerPAK SO-8L 16 A 80 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Série
TrenchFET
Type de boîtier
PowerPAK SO-8L
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
90 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
33 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Standard automobile
AEC-Q101
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
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€ 1 142,18
€ 0,381 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.99mm
Charge de Grille type @ Vgs
33 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Standard automobile
AEC-Q101
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