MOSFET Vishay Siliconix canal N, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
150 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
TrenchFET
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
106 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.83mm
Taille
11.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
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€ 868,29
€ 1,085 Each (On a Reel of 800) (hors TVA)
800
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
106 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.83mm
Taille
11.3mm
Température de fonctionnement minimum
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