MOSFET Vishay Siliconix canal N, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 broches

N° de stock RS: 178-3948Marque: Vishay SiliconixN° de pièce Mfr: SQM40022EM_GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay Siliconix

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

150 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Série

TrenchFET

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

7

Résistance Drain Source maximum

3 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3.5V

Dissipation de puissance maximum

150000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Largeur

4.83mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Charge de Grille type @ Vgs

106 nC @ 10 V

Taille

11.3mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.5V

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine

Taiwan, Province Of China

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€ 12,37

€ 1,237 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay Siliconix canal N, D2PAK (TO-263) 150 A 40 V, 7 broches
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Production -

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10

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10€ 12,37
20€ 24,73
30€ 37,10
40€ 49,46
50€ 61,83
60€ 74,19
70€ 86,56
80€ 98,92
90€ 111,29
100€ 123,65
110€ 136,02
120€ 148,38
130€ 160,75
140€ 173,11
150€ 185,48

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N

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7

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3 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3.5V

Dissipation de puissance maximum

150000 mW

Configuration du transistor

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Largeur

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Si

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10.67mm

Charge de Grille type @ Vgs

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