MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK 1212-8 6 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de boîtier
PowerPAK 1212-8
Série
TrenchFET
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
27.8 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
11,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
3.15mm
Standard automobile
AEC-Q101
Taille
1.07mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Pays d'origine
China
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€ 801,23
€ 0,267 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Série
TrenchFET
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
27.8 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
11,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
3.15mm
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AEC-Q101
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