MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 14 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
14 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
88000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
26 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 40,19
€ 0,804 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,804 | € 40,19 |
| 100 - 200 | € 0,764 | € 38,19 |
| 250+ | € 0,724 | € 36,20 |
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Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
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Dissipation de puissance maximum
88000 mW
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
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