MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 3,3 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.3 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
36 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
8,2 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,52
€ 0,52 Each (hors TVA)
Standard
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 0,52 |
| 10 - 49 | € 0,50 |
| 50 - 99 | € 0,36 |
| 100 - 249 | € 0,34 |
| 250+ | € 0,31 |
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Nombre de broche
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
36 W
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
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Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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