Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
14 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
68 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 29,66
€ 2,97 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 29,66
€ 2,97 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 49 | € 2,97 |
| 50 - 99 | € 2,80 |
| 100 - 249 | € 2,53 |
| 250+ | € 2,18 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
14 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
68 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


