Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
550 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
39 nF @ 10 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 300 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 22,05
€ 2,20 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 22,05
€ 2,20 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 49 | € 2,20 |
| 50 - 99 | € 2,14 |
| 100 - 249 | € 1,99 |
| 250+ | € 1,86 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
550 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
39 nF @ 10 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


