TRANSISTOR MOSFET CANAL N - IRF740
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
550 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.41mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.01mm
Prix sur demande
1
Prix sur demande
1
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Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
550 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.41mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.01mm