MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 10 A 400 V, 3 broches

N° de stock RS: 542-9406PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRF740SPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

10 A

Tension Drain Source maximum

400 V

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

550 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

63 nC @ 10 V

Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

4.83mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 300 à 400 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 21,25

€ 2,13 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 10 A 400 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 1
10€ 21,25
11€ 23,38
12€ 25,50
13€ 27,63
14€ 29,75
15€ 31,88
16€ 34,00
17€ 36,13
18€ 38,25
19€ 40,38
20€ 42,51
21€ 44,63
22€ 46,76
23€ 48,88
24€ 51,01

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18€ 38,25
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QuantitéPrix unitaire
10 - 49€ 2,13
50 - 99€ 2,00
100 - 249€ 1,88
250+€ 1,51

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N

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10 A

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

550 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

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2V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

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Single

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Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

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Longueur

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150 °C

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