Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
9.65mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 10,71
€ 2,141 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 10,71
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
9.65mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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